光刻是半导体器件制造工艺中的一步重要工艺，该步利用曝光和显影将掩膜版上的几何图形结构转移到衬底表面的光刻胶上，是将器件或电路结构临时“复制”到衬底上的过程。为下一步进行离子注入的掺杂、刻蚀或者镀膜工序做好准备。

●接触(近)式光刻：最小线宽1um，套刻精度±1um，最大曝光面积φ200mm(8英寸)

●步进投影式光刻：Stepper I7/I10/I12，最小线宽350nm，套刻精度＜150nm，单个shot最大22mm*22mm，2/4/6英寸标准晶圆

●电子束光刻：最小线宽10nm，套刻精度＜50nm，样品尺寸＜φ100mm(4英寸)