刻蚀是在半导体工艺中，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性刻蚀或剥离的技术。刻蚀可以分为湿法腐蚀和干法刻蚀。

●湿法腐蚀：

-腐蚀化药：KOH、TMAH、BOE、H3PO4、HF、H2SO4、HCl、HNO3等

-腐蚀材料：硅、二氧化硅、氮化硅、各种金属等

●干法刻蚀：

-深硅刻蚀（DRIE）：深宽比＞20:1，侧壁垂直度可达89°±1°

-离子束刻蚀（IBE）：用于金属以及较难刻蚀材料的刻蚀，属纯物理过程

-反应离子刻蚀（RIE）：用于SiO2、SiNx、Si等材料的刻蚀

-电感耦合等离子体（ICP）刻蚀：用于GaAs、GaN、InP、Si等材料的刻蚀

-磁中性环路放电（NLD）刻蚀：用于SiO2、石英、SiC等材料的刻蚀