氮化硅薄膜具有高透明性、高强度、高硬度、高耐热性和高耐腐蚀性等特点，被广泛应用于同步辐射X射线、软X射线、TEM、SEM等观测实验。

芯片厚度：200um

芯片尺寸：φ3mm、5mm*5mm、7.5mm*7.5mm、10mm*10mm等

薄膜厚度：10nm-600nm

窗口尺寸：0-10mm*10mm

除上述外可根据需求任意定制，也可定制带孔氮化硅薄膜窗口以及在薄膜表面沉积金属等各种其他材料。