镀膜，又称薄膜沉积。一般是在真空环境下，将某种半导体、介质、金属及其化合物薄膜以气相的形式沉积到材料表面，形成一层致密的薄膜，薄膜的质量对半导体器件的性能至关重要。

●化学气相沉积镀膜：

-等离子体增强化学气相沉积（PECVD）:主要用于SiO2、SiNx、a-Si薄膜的沉积

-电感耦合等离子体增强化学气相沉积（ICPCVD）:主要用于SiO2、SiNx薄膜的低温沉积

-低压化学气相沉积（LPCVD）：主要用于低应力SiNx薄膜的沉积

-金属有机化学气相沉积（MOCVD）:主要用于GaN、GaAs、InP基的III-V族化合物半导体以及Ga2O3薄膜的外延生长

-原子层沉积（ALD）：主要用于Al2O3、HfO2、SiO2、TiO2、ZnO、ZrO2、In2O3、AlN、TiN等薄膜的沉积

 ●物理气相沉积镀膜：

-镀膜方式：磁控溅射、电子束蒸发、热蒸发等

-镀膜基底：硅片、石英玻璃片、蓝宝石片、铌酸锂等各类晶体以及PET、PTFE、Pi等柔性材料

-镀膜材料：Cr、Ti、Al、Cu、Au、Pt、Ni、Ag、Pd、Zn、Mo、W、Ta、Ru、NiCr、TiW、Nb等案例