减薄是对晶片背面的基体材料进行磨削，去除一定厚度的材料，可以改善芯片的散热效果，减少芯片的内部应力，并有利于后续的封装工艺。

由于减薄后的晶片背面存在表面损伤层，其残余应力会导致减薄后的晶片弯曲且容易在后续工序中碎裂，从而影响成品率。因此在减薄后应对晶片背面进行抛光。抛光是指利用化学机械研磨方式，使晶片表面的粗糙度降低，以获得光亮、平整的表面。

-可加工材料：Si、GaN、GaAs、InP、玻璃、蓝宝石、陶瓷等

-可加工到厚度：50-100um

-厚度误差：±2um

-表面粗糙度：＜10nm

-表面不均匀性：＜5%

-晶片尺寸：最大6英寸