掺杂是将一定数量的杂质掺入到半导体材料的工艺，是为了改变半导体材料的电学特性，从而得到所需的电学参数。掺杂的方法主要有高温扩散和离子注入。

外延是在单晶衬底上生长一层单晶膜的技术。这层新沉积的单晶层被称作外延层。长了外延层的衬底称为外延片。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性，例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廊，而这些因素是与衬底无关的。这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。

●离子注入

-注入元素：硼、磷、氟、铝、氮、氩、镁、硅等元素。

-注入能量：10keV～1MeV

-注入剂量：1E11～1E17 ions/cm2

●高温退火/氧化

-温度： 800℃-1100℃

●快速退火

-温度：150℃-1150℃

●外延材料：GaN、GaAs、InP、SiC、Ga2O3等