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衬底
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半导体衬底是具有特定晶面和适当电学、光学和机械特性的洁净单晶薄片,是制造半导体器件的基础材料,它承载着芯片器件的生长和形成。

●硅片

直径:2-8英寸

掺杂类型:N型、P型

抛面:单抛、双抛

晶向:<100>、<110>、<111>

电阻率:低阻0.001-1Ω·cm、中阻1-100Ω·cm、高阻1000-20000Ω·cm

厚度:100um-3mm

●氧化硅片

直径:2-8英寸

氧化层厚度:5nm-10um

可根据需求选用干湿干氧化和纯干氧氧化

●玻璃片

BF33玻璃:直径4/6英寸,厚度0.3mm、0.5mm、1mm、2mm

ITO导电玻璃:尺寸大小可任意定制,厚度0.3mm-3mm,ITO膜层厚度10nm-1.2um,电阻1-500Ω,透过率70%-94%

●石英片

熔融石英片(Fused Silica):直径2-6英寸,透过率85%以上。根据光学性能分为:JGS1、JGS2、JGS3

单晶石英片(Quartz Crystal):直径2-6英寸,X切向、Y切向、Z切向、ST切向等

除上述衬底外,还提供蓝宝石、铌酸锂、云母片、砷化镓和氮化镓等III-V族片、碳化硅片、陶瓷片等各种衬底。更多需求欢迎来电咨询。

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